製品の紹介
バタフライパッケージの高品質MQW DFBレーザダイオードは、高い直線性(優れたCSO、CTBパラメータ)およびCATV光送信システムおよびアナログAMシステムの高出力の要件を満たすことができます。 また、内蔵の熱電クーラー(TEC)により、さまざまな環境でレーザーダイオードを適切に機能させることができます。
製品パラメータ
1310nm DFBバタフライ半導体レーザー | ||||||
パラメータ |
シンボル |
調子 |
限界 |
単位 |
||
分 |
タイプ |
最大 |
||||
しきい値電流 |
あ |
CW |
- |
10年 |
20 |
mA |
動作電流 |
イオプ |
CW |
- |
60 |
100 |
mA |
動作電圧 |
バップ |
CW、If = Iop |
- |
1.3 |
2.1 |
V |
中心波長 |
Λc |
DFBレーザー |
1290年 |
1310年 |
1330年 |
nm |
ファイバ端からの出力パワー |
Pf |
CW、If = Iop |
8 |
- |
24 |
MW |
サイドモード抑制比 |
SMSR |
CW、If = Iop |
30 |
35 |
- |
dB |
スペクトル幅 |
Δλ |
-20dB |
- |
- |
1.0 |
nm |
カットオフ周波数 |
Fc(-3dB) |
If = Iop |
- |
2.5 |
- |
GHz |
相対強度ノイズ |
りん |
CW、If = Iop、f = 2.5GHz、 |
- |
- |
-155 |
dB / Hz |
トラッキングエラー |
えー |
Tc = -20〜65℃、APC、ATC |
- |
- |
1 |
dB |
電流を監視 |
私は〜に乗っています |
CW、If = Iop、Vrd = 5V |
0.1 |
- |
4 |
mA |
暗電流(MPD) |
Id |
Vrd = 5V |
- |
- |
500 |
NA |
アイソレーション |
イソ |
Tc = 0〜65℃ |
25年 |
35 |
- |
dB |
サーミスタ抵抗 |
Rth |
Tld = 25℃ |
9.5 |
10年 |
10.5 |
KΩ |
TECカレント |
アイテック |
ΔT= 40K |
- |
- |
1.6 |
A |
TECカレント |
VTEC |
ΔT= 40K |
- |
- |
3.8 |
V |
1550nm DFBバタフライ半導体レーザー | ||||||
パラメータ |
シンボル |
調子 |
限界 |
単位 |
||
分 |
タイプ |
最大 |
||||
しきい値電流 |
あ |
CW |
- |
10年 |
20 |
mA |
動作電流 |
イオプ |
CW |
- |
60 |
100 |
mA |
動作電圧 |
バップ |
CW、If = Iop |
- |
1.3 |
2.1 |
V |
中心波長 |
Λc |
DFBレーザー |
1530年 |
1550年 |
1570年 |
nm |
ファイバ端からの出力パワー |
Pf |
CW、If = Iop |
- |
- |
10年 |
MW |
サイドモード抑制比 |
SMSR |
CW、If = Iop |
30 |
35 |
- |
dB |
スペクトル幅 |
Δλ |
-20dB |
- |
- |
1.0 |
nm |
カットオフ周波数 |
Fc(-3dB) |
If = Iop |
- |
2.5 |
- |
GHz |
相対強度ノイズ |
りん |
CW、If = Iop、f = 2.5GHz、 |
- |
- |
-155 |
dB / Hz |
トラッキングエラー |
えー |
Tc = -20〜65℃、APC、ATC |
- |
- |
1 |
dB |
電流を監視 |
私は〜に乗っています |
CW、If = Iop、Vrd = 5V |
0.1 |
- |
4 |
mA |
暗電流(MPD) |
Id |
Vrd = 5V |
- |
- |
500 |
NA |
アイソレーション |
イソ |
Tc = 0〜65℃ |
25年 |
35 |
- |
dB |
サーミスタ抵抗 |
Rth |
Tld = 25℃ |
9.5 |
10年 |
10.5 |
KΩ |
TECカレント |
アイテック |
ΔT= 40K |
- |
- |
1.6 |
A |
TECカレント |
VTEC |
ΔT= 40K |
- |
- |
3.8 |
V |
1310nm FPバタフライ半導体レーザー | ||||||
パラメータ |
シンボル |
調子 |
限界 |
単位 |
||
|
|
|
分 |
タイプ |
最大 |
|
しきい値電流 |
あ |
CW |
- |
10年 |
20 |
mA |
動作電流 |
イオプ |
CW |
- |
60 |
100 |
mA |
動作電圧 |
バップ |
CW、If = Iop |
- |
1.3 |
2.1 |
V |
中心波長 |
Λc |
FPレーザー |
1290年 |
1310年 |
1330年 |
nm |
ファイバ端からの出力パワー |
Pf |
CW、If = Iop |
- |
- |
8 |
MW |
スペクトル幅 |
Δλ |
- |
- |
5.0 |
nm |
|
カットオフ周波数 |
Fc(-3dB) |
If = Iop |
- |
2.5 |
- |
GHz |
相対強度ノイズ |
りん |
CW、If = Iop、f = 2.5GHz、 |
- |
- |
-155 |
dB / Hz |
トラッキングエラー |
えー |
Tc = -20〜65℃、APC、ATC |
- |
- |
1 |
dB |
電流を監視 |
私は〜に乗っています |
CW、If = Iop、Vrd = 5V |
0.1 |
- |
4 |
mA |
暗電流(MPD) |
Id |
Vrd = 5V |
- |
- |
500 |
NA |
アイソレーション |
イソ |
Tc = 0〜65℃ |
25年 |
35 |
- |
dB |
サーミスタ抵抗 |
Rth |
Tld = 25℃ |
9.5 |
10年 |
10.5 |
KΩ |
TECカレント |
アイテック |
ΔT= 40K |
- |
- |
1.6 |
A |
TECカレント |
VTEC |
ΔT= 40K |
- |
- |
3.8 |
V |
1550nm FPバタフライ半導体レーザー | ||||||
パラメータ |
シンボル |
調子 |
限界 |
単位 |
||
分 |
タイプ |
最大 |
||||
しきい値電流 |
あ |
CW |
- |
10年 |
20 |
mA |
動作電流 |
イオプ |
CW |
- |
60 |
100 |
mA |
動作電圧 |
バップ |
CW、If = Iop |
- |
1.3 |
2.1 |
V |
中心波長 |
Λc |
FPレーザー |
1530年 |
1550年 |
1570年 |
nm |
ファイバ端からの出力パワー |
Pf |
CW、If = Iop |
- |
- |
8 |
MW |
スペクトル幅 |
Δλ |
-20dB |
- |
- |
5.0 |
nm |
カットオフ周波数 |
Fc(-3dB) |
If = Iop |
- |
2.5 |
- |
GHz |
相対強度ノイズ |
りん |
CW、If = Iop、f = 2.5GHz、 |
- |
- |
-155 |
dB / Hz |
トラッキングエラー |
えー |
Tc = -20〜65℃、APC、ATC |
- |
- |
1 |
dB |
電流を監視 |
私は〜に乗っています |
CW、If = Iop、Vrd = 5V |
0.1 |
- |
4 |
mA |
暗電流(MPD) |
Id |
Vrd = 5V |
- |
- |
500 |
NA |
アイソレーション |
イソ |
Tc = 0〜65℃ |
25年 |
35 |
- |
dB |
サーミスタ抵抗 |
Rth |
Tld = 25℃ |
9.5 |
10年 |
10.5 |
KΩ |
TECカレント |
アイテック |
ΔT= 40K |
- |
- |
1.6 |
A |
TECカレント |
VTEC |
ΔT= 40K |
- |
- |
3.8 |
V |
注 :カスタマイズは利用可能です
3.製品の機能と用途
特徴
●アイソレータ、TEC、サーミスタ、モニタPD内蔵
●密閉型14ピンバタフライパッケージモジュール
●シングルモードファイバーピッグテール
●RoHに準拠
●1310nm DFBの場合は最大24mWの出力電力
応用
●CATVフォワードパス
●ブロードキャストおよびポイントツーポイントアプリケーション
4.プロダクション詳細
5.製品の資格
認証
作業環境
6.包装
http://ja.fr-ssopto.com/